การประยุกต์ใช้กล้องจุลทรรศน์อินฟราเรดในอุปกรณ์ขนาดเล็กในอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์
1. แนวทางการประยุกต์ใช้: บทบาทของกล้องจุลทรรศน์อินฟราเรดในการทดสอบอุณหภูมิของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำขนาดเล็ก
2. การแนะนำความเป็นมา:
ด้วยการพัฒนานาโนเทคโนโลยี วิธีการย่อส่วนจากบนลงล่างได้ถูกนำมาใช้มากขึ้นในด้านเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ เราเคยเรียกเทคโนโลยี IC ว่าเทคโนโลยีไมโครอิเล็กทรอนิกส์ เนื่องจากขนาดของทรานซิสเตอร์อยู่ที่ระดับไมครอน (10-6 เมตร) อย่างไรก็ตาม เทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์กำลังพัฒนาอย่างรวดเร็ว ทุกๆ สองปี จะมีการปรับปรุงรุ่นหนึ่ง และขนาดจะลดลงเหลือครึ่งหนึ่งของขนาดดั้งเดิม นี่คือกฎของมัวร์ที่มีชื่อเสียง เมื่อประมาณ 15 ปีที่แล้ว เซมิคอนดักเตอร์เริ่มเข้าสู่ยุคย่อยไมครอนซึ่งมีขนาดเล็กกว่ายุคไมครอน จากนั้นจึงเข้าสู่ยุคย่อยไมครอนซึ่งเล็กกว่ายุคไมครอนมาก ภายในปี 2001 ทรานซิสเตอร์มีขนาดเล็กกว่า 0.1 ไมครอนหรือ 100 นาโนเมตรด้วยซ้ำ ดังนั้นจึงเป็นยุคของนาโนอิเล็กทรอนิกส์ และไอซีในอนาคตส่วนใหญ่จะทำจากนาโนเทคโนโลยี
3. ข้อกำหนดทางเทคนิค:
ในปัจจุบัน โหมดความล้มเหลวหลักของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คือความล้มเหลวทางความร้อน จากสถิติพบว่า 55 เปอร์เซ็นต์ของความล้มเหลวของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เกิดจากอุณหภูมิที่เกินค่าที่กำหนด เมื่ออุณหภูมิเพิ่มขึ้น อัตราความล้มเหลวของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์จะเพิ่มขึ้นอย่างทวีคูณ โดยทั่วไป ความน่าเชื่อถือในการทำงานของชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์จะไวต่ออุณหภูมิอย่างมาก และความน่าเชื่อถือจะลดลง 5 เปอร์เซ็นต์ทุกครั้งที่อุณหภูมิของอุปกรณ์เพิ่มขึ้น 1 องศาที่ระดับ 70-80 องศา ดังนั้นจึงจำเป็นต้องตรวจจับอุณหภูมิของอุปกรณ์อย่างรวดเร็วและเชื่อถือได้ เนื่องจากขนาดของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์มีขนาดเล็กลงเรื่อยๆ ความต้องการที่สูงขึ้นจึงถูกวางไว้บนความละเอียดของอุณหภูมิและความละเอียดเชิงพื้นที่ของอุปกรณ์ตรวจจับ
4. แผนที่ความร้อนในการถ่ายทำนอกสถานที่
