การประยุกต์กล้องจุลทรรศน์อินฟราเรดในอุปกรณ์ไมโครในอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์
ทิศทางการใช้งาน: ฟังก์ชั่นของกล้องจุลทรรศน์อินฟราเรดในการวัดอุณหภูมิของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ขนาดเล็ก
ประการที่สอง พื้นหลัง:
ด้วยการพัฒนานาโนเทคโนโลยี การย่อขนาดจากบนลงล่างได้ถูกนำไปใช้ในด้านเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์มากขึ้นเรื่อยๆ เราเคยเรียกเทคโนโลยี IC ว่า "เทคโนโลยีไมโครอิเล็กทรอนิกส์" เนื่องจากขนาดของทรานซิสเตอร์อยู่ในระดับไมครอน (10-6 เมตร) อย่างไรก็ตาม เทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์กำลังพัฒนาอย่างรวดเร็ว และจะมีความก้าวหน้าหนึ่งรุ่นทุกๆ สองปี และขนาดของมันจะลดลงเหลือครึ่งหนึ่งของขนาดดั้งเดิม นี่คือกฎของมัวร์ที่มีชื่อเสียง ประมาณ 15 ปีที่แล้ว เซมิคอนดักเตอร์เริ่มเข้าสู่ยุคซับไมครอน ซึ่งก็คือน้อยกว่าไมครอน และจากนั้นก็เข้าสู่ยุคซับไมครอนที่ลึกและเล็กกว่าไมครอนมาก ภายในปี 2001 ขนาดของทรานซิสเตอร์ยังน้อยกว่า 0.1 ไมครอน ซึ่งก็คือน้อยกว่า 100 นาโนเมตร ดังนั้นจึงเป็นยุคของนาโนอิเล็กทรอนิกส์ และไอซีในอนาคตส่วนใหญ่จะทำจากนาโนเทคโนโลยี
ประการที่สาม ข้อกำหนดทางเทคนิค:
ในปัจจุบันรูปแบบความล้มเหลวหลักของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คือความล้มเหลวจากความร้อน จากสถิติพบว่า 55 เปอร์เซ็นต์ของความล้มเหลวของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์มีสาเหตุมาจากอุณหภูมิเกินค่าที่ระบุ เมื่ออุณหภูมิเพิ่มขึ้น อัตราความล้มเหลวของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์จะเพิ่มขึ้นแบบทวีคูณ โดยทั่วไป ความน่าเชื่อถือในการทำงานของชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์นั้นไวต่ออุณหภูมิอย่างมาก และความน่าเชื่อถือจะลดลง 5 เปอร์เซ็นต์สำหรับอุณหภูมิอุปกรณ์ที่เพิ่มขึ้นทุกๆ 1 องศาที่ระดับ 70-80 องศา ดังนั้นจึงจำเป็นต้องตรวจจับอุณหภูมิของอุปกรณ์อย่างรวดเร็วและเชื่อถือได้ เนื่องจากขนาดของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์มีขนาดเล็กลงเรื่อยๆ จึงมีการนำข้อกำหนดที่สูงขึ้นสำหรับความละเอียดของอุณหภูมิและความละเอียดเชิงพื้นที่ของอุปกรณ์ตรวจจับ
ประการที่สี่ ยิงแผนที่ความร้อนตรงจุด (สถานที่ : สถาบันวิจัยวิทยาศาสตร์ชื่อดัง รุ่น INNOMETE SI330)
