การออกแบบแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งสำหรับแหล่งจ่ายไฟแบบเฟสเดียวและสามเฟส

การออกแบบแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งสำหรับแหล่งจ่ายไฟแบบเฟสเดียวและสามเฟส

การเลือกวงจร PWM

บทความนี้เลือก IC คอนโทรลเลอร์ PWM ชนิดกระแสเอาต์พุตคู่ UC3846 วงจรนี้มีรอบการทำงาน *สูงสุด* 50% ที่ความถี่สวิตชิ่ง 20KHZ ดังนั้นการควบคุมจึงมีประสิทธิภาพและมีเสถียรภาพ

ไดรฟ์ IGBT และการป้องกัน

IGBT work is controlled by the positive and negative gate voltage, when UGE>0 เปิด IGBT เมื่อ UGE<0, (general UGS ≤ -5V), IGBT cut-off. Taking into account its characteristics and operating principle, the choice of positive and negative dual power supply M57962L-type special drive integrated circuit. The circuit has a built-in timing logic short-circuit protection circuit, and has a protection delay function. Driver protection principle circuit shown in Figure 3 (b). In addition to the IGBT drive circuit itself to provide short-circuit (overcurrent) protection, in parallel with the IGBT RC buffer branch and power supply parallel absorption capacitors on both sides of the method is also effective.

บทสรุป

แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งนี้เหมาะสำหรับการใช้งานจริงมากกว่า เนื่องจากการออกแบบพารามิเตอร์ของวงจรเรียงกระแสขึ้นอยู่กับการพิจารณาแบบเฟสเดียว เมื่อใช้ในแหล่งจ่ายไฟสามเฟสจะมีระยะขอบเพียงพอ เพื่อให้ระบบมีเสถียรภาพและเชื่อถือได้มากขึ้น ใช้ในแหล่งจ่ายไฟแบบเฟสเดียวก็สามารถทำงานได้ตามปกติ วิธีนี้จะช่วยแก้ไขข้อขัดแย้งของแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งเนื่องจากข้อจำกัดของแหล่งจ่ายไฟ ด้วยวิธีนี้ แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งที่มีอยู่สามารถเปลี่ยนเป็นแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งเฟสเดียวและสามเฟสได้