+86-18822802390

ติดต่อเรา

  • โทรศัพท์: +8618822802390

  • อีเมล:admin@gvda-instrument.com

  • วอตส์แอปป์: 8618822802390

  • เพิ่ม: ห้อง 610-612 อาคารธุรกิจ Huachuangda เขต 46 ถนน Cuizhu ถนน Xin'an Bao'an เซินเจิ้น

ข้อกำหนดการออกแบบวงจรจ่ายไฟสวิตชิ่งชิปตัวเดียว

Sep 21, 2023

ข้อกำหนดการออกแบบวงจรจ่ายไฟสวิตชิ่งชิปตัวเดียว

 

(1) วงจรป้อนกลับของ Top Switch-II จำเป็นต้องติดตั้งโฟโตอิเล็กทริคคัปเปลอร์เพื่อแยกออกจากวงจรเอาท์พุต เมื่อออกแบบแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งที่มีความแม่นยำ ควรเพิ่มตัวควบคุมความสัมพันธ์ที่มีความแม่นยำแบบปรับได้ TL431 เพื่อสร้างเครื่องขยายสัญญาณข้อผิดพลาดภายนอกเพื่อแทนที่ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าในวงจรสุ่มตัวอย่าง อัตราการควบคุมแรงดันไฟฟ้า Sv และอัตราการควบคุมปัจจุบัน Sl ของแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งที่มีความแม่นยำสามารถเข้าถึงได้ประมาณ 0.2% ซึ่งใกล้เคียงกับดัชนีของแหล่งจ่ายไฟแบบควบคุมแบบบูรณาการเชิงเส้น


(2) ควรเลือกออปโตคัปเปลอร์ที่มีอัตราส่วนการถ่ายโอนกระแส (CTR) แปรผันเชิงเส้น เช่น pC817A, NEC2501, 6N137 เป็นต้น ไม่แนะนำให้ใช้ 4N25, 4N35 และออปโตคัปเปลอร์ธรรมดา 4N×× อื่นๆ หลังมีความเป็นเส้นตรงที่ไม่ดีซึ่งจะทำให้เกิดการบิดเบือนเมื่อส่งสัญญาณอะนาล็อกและส่งผลต่อประสิทธิภาพการรักษาเสถียรภาพแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง


(3) ตัวหลักของหม้อแปลงความถี่สูงต้องมีวงจรป้องกันเพื่อดูดซับแรงดันไฟฟ้าสูงสุดที่เกิดจากการเหนี่ยวนำการรั่วไหล และให้แน่ใจว่า MOSFET จะไม่เสียหาย วงจรป้องกันนี้ควรเชื่อมต่อแบบขนานกับวงจรหลัก และมีรูปแบบการออกแบบเฉพาะสี่แบบ: วงจรหนีบประกอบด้วยไดโอดลดแรงดันไฟฟ้าชั่วคราว (TVS) และไดโอดกู้คืนที่เร็วมาก (SRD); (2) วงจรหนีบประกอบด้วย TVS และวงจรเรียงกระแสซิลิคอน (VD) (3) วงจรการดูดซึมประกอบด้วยองค์ประกอบความต้านทานความจุและ SRD (4) วงจรการดูดซึมประกอบด้วยส่วนประกอบความต้านทาน-ความจุและ VD ในบรรดารูปแบบข้างต้น 1 เป็นสิ่งที่ดีที่สุด ซึ่งสามารถให้ข้อดีของ TVS ได้อย่างเต็มที่ เช่น ความเร็วในการตอบสนองที่รวดเร็วมากและพัลส์ชั่วคราวที่มีพลังงานสูง โครงการที่ 2 เป็นโครงการที่สอง


(4) เมื่อใช้ชิป ควรเพิ่มหม้อน้ำที่เหมาะสม สำหรับแพ็คเกจ TO-220 สามารถติดตั้งบนกระดานขนาดเล็กได้โดยตรง สำหรับแพ็คเกจ DIp-8 และ SMD-8 สามารถเชื่อมแหล่งสัญญาณสี่แหล่งบนบอร์ดพิมพ์หุ้มทองแดงโดยมีพื้นที่ 2.3 แทนแผงระบายความร้อน


(5) เพื่อระงับการรบกวนที่เกิดจากโครงข่ายไฟฟ้า และป้องกันการรบกวนที่เกิดจากแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งจากการถูกส่งไปยังภายนอก จำเป็นต้องเพิ่มตัวกรอง EMI (หรือที่เรียกว่าตัวกรองสัญญาณรบกวนของแหล่งจ่ายไฟ (pNF) )) ที่ขั้วขาเข้าของแหล่งจ่ายไฟ


(6) เมื่อใช้ชิปประเภทนี้ ตัวนำแหล่งที่มาควรสั้นที่สุด เพื่อให้แรงดันไฟเอาท์พุตเสถียรภายใต้สภาวะไม่มีโหลดหรือโหลดเบา ควรเชื่อมต่อตัวต้านทานหลายร้อยโอห์มเข้ากับขั้วเอาท์พุทของแหล่งจ่ายไฟที่มีการควบคุมเป็นโหลดขั้นต่ำ หรือสามารถเชื่อมต่อท่อรักษาแรงดันไฟฟ้าแบบขนานได้

 

4 Power source 30V 10A

ส่งคำถาม