วิธีใช้มัลติมิเตอร์เพื่อตรวจจับโมดูลพลังงานอินเวอร์เตอร์
เมื่อมีการทดสอบโมดูลพลังงาน (ตัดการเชื่อมต่อจากกริดพลังงาน) ตัวสะสมและตัวส่งสัญญาณของไดโอดหกตัวของสะพานวงจรเรียงกระแสและท่อ IGBT หกลำของสะพานเอาท์พุทสามารถวัดได้ไปข้างหน้าและย้อนกลับโดยใช้ตัวชี้มัลติมิเตอร์ r × L ตารางที่ 1 และตารางที่ 2 เป็นผลการวัดปกติมิฉะนั้นจะมีส่วนประกอบการสลายภายใน วัดความต้านทาน (เทอร์มินัลอินพุตสัญญาณไดรฟ์) ระหว่างเกตและตัวส่งสัญญาณของทรานซิสเตอร์ IGBT หกตัวโดยใช้ตัวชี้มัลติมิเตอร์ BX1K หากมีความแตกต่างจะบ่งบอกถึงความเสียหายต่อวงจรไดรฟ์หรือทรานซิสเตอร์ IGBT การวัดข้างต้นสามารถวัดความเสียหายของการสลายตัวของหลอด IGBT เท่านั้น ไม่สามารถตรวจพบความเสียหายของวงจรเปิดได้ หลังจากถอดโมดูลพลังงานออกจากแผงวงจรแต่ละหลอด IGBT สามารถวัดได้เพิ่มเติมโดยใช้วิธีที่แสดงในรูปที่ 1 ซึ่งเข็มด้านซ้ายแสดงว่าไม่ใช่การนำไฟฟ้า เข็มทางด้านขวาบ่งบอกถึงค่าการนำไฟฟ้า หากไม่สามารถเปิดและปิดได้หลอดจะเสียหาย
โครงสร้างของโมดูลพลังงานแปลงความถี่:
บรรจุภัณฑ์ภายในของโมดูลพลังงานตัวแปลงความถี่ประกอบด้วยวงจรวงจรวงจรวงจรวงจรสะพานเฟสเดียวหรือสามเฟสประกอบด้วยไดโอดและวงจรเอาท์พุทสะพานสามเฟสประกอบด้วย Transistor IGBT หกตัว
P1 เป็นขั้วบวกของเอาต์พุต +300} V rectifier และ N1 เป็นขั้วลบของเอาต์พุต rectifier หมุดทั้งสองนี้เชื่อมต่อภายนอกกับตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์แบบกรองและเชื่อมต่อกับ P2 และ N2 ผ่านขดลวดเหนี่ยวนำร่วมกัน P1 และ N1 ตามลำดับเพื่อจ่ายพลังงานไปยังสะพานเอาท์พุทที่ประกอบด้วยท่อ IGBT หกหลอด
นักสะสมของทรานซิสเตอร์ IGBT ทั้งสามในสะพานครึ่งบนของสะพานเอาท์พุทสามเฟสเชื่อมต่อกับขั้วบวกของแหล่งจ่ายไฟและตัวปล่อยแสงคือเทอร์มินัลเอาต์พุตสามเฟส U, V และ W ตัวปล่อยและประตูของทั้งสามทรานซิสเตอร์สร้างเทอร์มินัลอินพุต GU-U, GV-V และ GW-W สำหรับสัญญาณการขับขี่ของสะพานครึ่งบนของสามเฟส นักสะสมของทรานซิสเตอร์ IGBT ทั้งสามในสะพานครึ่งล่างของสะพานเอาท์พุทสามเฟสเชื่อมต่อกับ U, V และ W ตามลำดับและตัวปล่อยจะเชื่อมต่อกับขั้วลบของแหล่งจ่ายไฟ ประตูของทรานซิสเตอร์ทั้งสามและขั้วลบของแหล่งจ่ายไฟก่อตัวเป็นเทอร์มินัลอินพุต GX, GY และ GZ ของสัญญาณการขับขี่สะพานครึ่งล่างสามเฟสและ B คือขั้วควบคุมเบรก
ไม่มีวงจรเบรกภายในโมดูลนี้ Th คือเทอร์มินัลเอาท์พุทที่ได้รับการปกป้องโดยเทอร์มิสเตอร์ภายใน แม้ว่าหมุดและเครื่องหมายบนบอร์ดวงจรของโมเดลพลังงานสากลตัวแปลงความถี่สากลนั้นแตกต่างกัน แต่ก็ไม่ยากที่จะระบุตำแหน่งพินหลัก ผลิตภัณฑ์ระดับไฮเอนด์ใช้โมดูลพลังงานอัจฉริยะซึ่งรวมถึงวงจรการขับขี่และวงจรเบรกภายในด้วยพินมากขึ้นตามลำดับ
โมดูลพลังงานของตัวแปลงความถี่ตามชื่อแนะนำหมายถึงการรวมกันของส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์และไฟฟ้าในตัวแปลงความถี่ตามฟังก์ชั่นบางอย่างแล้วห่อหุ้มไว้ในโมดูล ตัวแปลงความถี่นั้นประกอบด้วยชุดควบคุมและโมดูลพลังงาน โดยทั่วไปโมดูลพลังงานของตัวแปลงความถี่ถูกสร้างขึ้นโดยการรวมเปลือกนอกและขั้วอิเล็กโทรดภายนอกเพื่อลดจำนวนส่วนประกอบและการเหนี่ยวนำการเดินสายภายใน
