+86-18822802390

ติดต่อเรา

  • โทรศัพท์: +8618822802390

  • อีเมล:admin@gvda-instrument.com

  • วอตส์แอปป์: 8618822802390

  • เพิ่ม: ห้อง 610-612 อาคารธุรกิจ Huachuangda เขต 46 ถนน Cuizhu ถนน Xin'an Bao'an เซินเจิ้น

รู้เบื้องต้นเกี่ยวกับการประยุกต์ใช้กล้องจุลทรรศน์อินฟราเรดในอุปกรณ์เล็ก ๆ ในอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์

Apr 17, 2025

รู้เบื้องต้นเกี่ยวกับการประยุกต์ใช้กล้องจุลทรรศน์อินฟราเรดในอุปกรณ์เล็ก ๆ ในอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์

 

ด้วยการพัฒนาของนาโนเทคโนโลยีวิธีการย่อขนาดบนลงล่างของมันจึงถูกนำไปใช้มากขึ้นในด้านเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ เราเคยเรียกเทคโนโลยี IC "microelectronics" เนื่องจากขนาดของทรานซิสเตอร์อยู่ในช่วงไมโครมิเตอร์ (10-6 เมตร) แต่เทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์กำลังพัฒนาอย่างรวดเร็วก้าวหน้าโดยคนรุ่นหนึ่งทุก ๆ สองปีและขนาดจะลดลงถึงครึ่งหนึ่งของขนาดดั้งเดิมซึ่งเป็นกฎของมัวร์ที่มีชื่อเสียง ประมาณ 15 ปีที่ผ่านมาเซมิคอนดักเตอร์เริ่มเข้าสู่ยุคไมครอนย่อยซึ่งมีขนาดเล็กกว่าไมโครมิเตอร์ตามด้วยยุคไมครอนย่อยที่ลึกกว่าไมครอนที่มีขนาดเล็กกว่าไมโครมิเตอร์มาก โดย 2 0 01 ขนาดของทรานซิสเตอร์ลดลงเหลือน้อยกว่า 0.1 ไมโครเมตรซึ่งน้อยกว่า 100 นาโนเมตร ดังนั้นในยุคของนาโนอิเล็กทรอนิกส์ส่วนใหญ่ของ ICS ในอนาคตจะทำโดยใช้นาโนเทคโนโลยี


3, ข้อกำหนดทางเทคนิค:
ปัจจุบันรูปแบบหลักของความล้มเหลวของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คือความล้มเหลวทางความร้อน ตามสถิติพบว่า 55% ของความล้มเหลวของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เกิดจากอุณหภูมิเกินกว่าค่าที่ระบุและอัตราความล้มเหลวของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เพิ่มขึ้นแบบทวีคูณเมื่ออุณหภูมิเพิ่มขึ้น โดยทั่วไปแล้วความน่าเชื่อถือในการปฏิบัติงานของส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์มีความไวต่ออุณหภูมิสูงโดยลดความน่าเชื่อถือลง 5% สำหรับทุก ๆ 1 องศาของอุณหภูมิอุปกรณ์ระหว่าง 70-80 องศาเซลเซียส ดังนั้นจึงจำเป็นต้องตรวจจับอุณหภูมิของอุปกรณ์อย่างรวดเร็วและเชื่อถือได้ เนื่องจากอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ขนาดเล็กขึ้นเรื่อย ๆ จึงมีการวางข้อกำหนดที่สูงขึ้นในความละเอียดของอุณหภูมิและความละเอียดเชิงพื้นที่ของอุปกรณ์ตรวจจับ

 

2 Electronic Microscope

ส่งคำถาม