มาตรการป้องกัน EMI เมื่อออกแบบแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง
1. ลดพื้นที่ฟอยล์ทองแดง PCB ของโหนดวงจรที่มีเสียงดังให้เล็กที่สุด เช่น ท่อระบายและตัวสะสมของท่อสวิตช์ และโหนดของขดลวดปฐมภูมิและขดลวดทุติยภูมิ
2. เก็บขั้วต่ออินพุตและเอาต์พุตให้ห่างจากส่วนประกอบที่มีสัญญาณรบกวน เช่น ชุดสายหม้อแปลง แกนหม้อแปลง และแผงระบายความร้อนของท่อสวิตชิ่ง
3. เก็บส่วนประกอบที่มีเสียงดัง (เช่น การพันลวดหม้อแปลงที่ไม่มีการหุ้ม แกนหม้อแปลงที่ไม่มีการหุ้ม และท่อสวิตชิ่ง ฯลฯ) ให้ห่างจากขอบของเคส เนื่องจากขอบของเคสมักจะอยู่ใกล้กับสายกราวด์ภายนอกภายใต้สภาวะปกติ การดำเนินการ.
4. หากหม้อแปลงไม่ใช้ตัวป้องกันสนามไฟฟ้า ให้เก็บตัวป้องกันและตัวระบายความร้อนให้ห่างจากหม้อแปลง
5. ลดพื้นที่ของลูปปัจจุบันต่อไปนี้: วงจรเรียงกระแสสำรอง (เอาต์พุต), อุปกรณ์จ่ายไฟสวิตชิ่งหลัก, สายไดรฟ์เกท (ฐาน), วงจรเรียงกระแสเสริม
6. อย่าผสมลูปป้อนกลับไดรฟ์เกท (ฐาน) กับวงจรสวิตชิ่งหลักหรือวงจรแก้ไขเสริม
7. ปรับค่าตัวต้านทานลดการสั่นสะเทือนที่เหมาะสมที่สุดเพื่อไม่ให้เกิดเสียงเรียกเข้าในช่วงเวลาที่สวิตช์ไม่ทำงาน
8. ป้องกันความอิ่มตัวของตัวเหนี่ยวนำตัวกรอง EMI
9. เก็บโหนดเลี้ยวและส่วนประกอบของวงจรทุติยภูมิให้ห่างจากส่วนป้องกันของวงจรปฐมภูมิหรือตัวระบายความร้อนของท่อสวิตช์
10. เก็บโหนดสวิงและตัวส่วนประกอบของวงจรปฐมภูมิให้ห่างจากตัวป้องกันหรือตัวระบายความร้อน
11. ทำตัวกรอง EMI สำหรับอินพุตความถี่สูงใกล้กับปลายสายอินพุตหรือขั้วต่อ
12. เก็บตัวกรอง EMI สำหรับเอาต์พุตความถี่สูงไว้ใกล้กับขั้วต่อสายเอาต์พุต
13. รักษาระยะห่างระหว่างฟอยล์ทองแดงของ PCB ตรงข้ามตัวกรอง EMI และตัวส่วนประกอบ
14. ใส่ตัวต้านทานบางตัวในบรรทัดของวงจรเรียงกระแสสำหรับขดลวดเสริม
15. เชื่อมต่อตัวต้านทานการหน่วงแบบขนานบนขดลวดของแท่งแม่เหล็ก
16. เชื่อมต่อตัวต้านทานลดการสั่นสะเทือนแบบขนานผ่านตัวกรอง RF เอาต์พุต
17. อนุญาตให้ใส่ตัวเก็บประจุเซรามิก 1nF/500V หรือชุดตัวต้านทานในการออกแบบ PCB และเชื่อมต่อระหว่างปลายสแตติกหลักของหม้อแปลงกับขดลวดเสริม
18. เก็บตัวกรอง EMI ให้ห่างจากหม้อแปลงไฟฟ้า โดยเฉพาะอย่างยิ่งหลีกเลี่ยงการวางตำแหน่งที่ปลายขดลวด
19. เมื่อพื้นที่ PCB เพียงพอ หมุดสำหรับขดลวดชีลด์และตำแหน่งของแดมเปอร์ RC สามารถทิ้งไว้บน PCB และสามารถต่อแดมเปอร์ RC ข้ามปลายทั้งสองของขดลวดชีลด์
20. ช่องว่างที่อนุญาตให้วางตัวเก็บประจุตะกั่วในแนวรัศมีขนาดเล็ก (มิลเลอร์, 10 pF/1 kV cap) ระหว่างท่อระบายและประตูของ FET สวิตชิ่งเพาเวอร์
21. วางแดมเปอร์ RC ขนาดเล็กบนเอาต์พุต DC หากมีที่ว่าง
22. อย่าวางเต้ารับไฟฟ้ากระแสสลับไว้ใกล้กับตัวระบายความร้อนของท่อสวิตชิ่งหลัก
