มัลติมิเตอร์ - การเลือกทรานซิสเตอร์เซมิคอนดักเตอร์
การเลือกทรานซิสเตอร์ต้องเป็นไปตามข้อกำหนดของอุปกรณ์และวงจรก่อนและประการที่สองต้องเป็นไปตามหลักการประหยัด โดยทั่วไปควรพิจารณาปัจจัยต่อไปนี้ โดยขึ้นอยู่กับการใช้งาน: ความถี่ในการทำงาน กระแสสะสม กำลังกระจาย ปัจจัยการขยายกระแส แรงดันพังทลายย้อนกลับ ความเสถียรและแรงดันไฟฟ้าตกอิ่มตัว ฯลฯ ปัจจัยเหล่านี้มีความสัมพันธ์ที่มีข้อจำกัดร่วมกัน ในระหว่างการเลือกตั้งและการจัดการเราควรเข้าใจความขัดแย้งหลักและคำนึงถึงปัจจัยรองด้วย
ความถี่ลักษณะเฉพาะ ftT ของหลอดความถี่ต่ำโดยทั่วไปจะต่ำกว่า 2.5MHz ในขณะที่ ft ของหลอดความถี่สูงมีตั้งแต่สิบ MHz ถึงหลายร้อย MHz หรือสูงกว่านั้น เมื่อเลือกการควบคุม ค่า ft ควรเป็น 3 ถึง 10 เท่าของความถี่ในการทำงาน โดยหลักการแล้ว หลอดความถี่สูงสามารถเปลี่ยนหลอดความถี่ต่ำได้ แต่โดยทั่วไปกำลังของหลอดความถี่สูงจะค่อนข้างเล็กและช่วงไดนามิกจะแคบ ให้ความสนใจกับสภาพพลังงานเมื่อทำการเปลี่ยน
โดยทั่วไปเราหวังว่ามันควรจะใหญ่กว่านี้ แต่ใหญ่กว่านั้นไม่ได้ดีกว่าเสมอไป หากสูงเกินไปจะทำให้เกิดการสั่นไหวในตัวเองได้ง่าย ไม่ต้องพูดถึงว่าโดยทั่วไปท่อที่มีค่าสูงจะไม่เสถียรและได้รับผลกระทบอย่างมากจากอุณหภูมิ โดยปกติค่าจะอยู่ระหว่าง 40 ถึง 100 แต่สำหรับหลอดที่มีสัญญาณรบกวนต่ำและค่าสูง (เช่น 1815, 9011~9015 เป็นต้น) ความเสถียรของอุณหภูมิจะยังคงดีเมื่อค่าถึงหลักร้อย นอกจากนี้ควรเลือกวงจรทั้งหมดจากการประสานงานของทุกระดับ ตัวอย่างเช่น หากเวทีด้านหน้าใช้หลอดเบต้าสูง เวทีด้านหลังสามารถใช้หลอดเบต้าต่ำได้ ในทางกลับกัน ถ้าเวทีหน้าใช้หลอดเบต้าต่ำ เวทีหลังก็สามารถใช้หลอดเบต้าสูงได้
ควรเลือกแรงดันไฟฟ้าพังทลายแบบย้อนกลับของตัวสะสม-ตัวปล่อย UCEO ให้มากกว่าแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่าย ยิ่งกระแสทะลุทะลวงน้อยลง ความเสถียรต่ออุณหภูมิก็จะยิ่งดีขึ้น ความเสถียรของหลอดซิลิคอนธรรมดานั้นดีกว่าหลอดเจอร์เมเนียมมาก แต่แรงดันตกคร่อมของหลอดซิลิคอนธรรมดาจะมีขนาดใหญ่กว่าหลอดเจอร์เมเนียม ซึ่งจะส่งผลต่อประสิทธิภาพของวงจรในบางวงจร ควรเลือกตามเงื่อนไขเฉพาะของวงจรและการสิ้นเปลืองของทรานซิสเตอร์ เมื่อกระจายพลังงาน ควรเหลือระยะขอบบางส่วนตามความต้องการของวงจรต่างๆ
สำหรับทรานซิสเตอร์ที่ใช้ในวงจร เช่น การขยายความถี่สูง การขยายความถี่กลาง และออสซิลเลเตอร์ ควรเลือกทรานซิสเตอร์ที่มีคุณลักษณะความถี่สูง ft และความจุระหว่างอิเล็กโทรดขนาดเล็ก เพื่อให้แน่ใจว่าได้รับพลังงานสูงและมีเสถียรภาพที่ความถี่สูง
