+86-18822802390

ติดต่อเรา

  • โทรศัพท์: +8618822802390

  • อีเมล:admin@gvda-instrument.com

  • วอตส์แอปป์: 8618822802390

  • เพิ่ม: ห้อง 610-612 อาคารธุรกิจ Huachuangda เขต 46 ถนน Cuizhu ถนน Xin'an Bao'an เซินเจิ้น

ช่องส่งสัญญาณเทคโนโลยี Power EMI

Aug 14, 2023

ช่องส่งสัญญาณเทคโนโลยี Power EMI

 

ช่องทางการส่งสัญญาณสำหรับการรบกวน

(1) การมีเพศสัมพันธ์แบบคาปาซิทีฟ


(2) การมีเพศสัมพันธ์แบบเหนี่ยวนำ


(3) การมีเพศสัมพันธ์แบบต้านทาน


ก. การมีเพศสัมพันธ์การนำความต้านทานที่เกิดจากความต้านทานภายในของแหล่งจ่ายไฟสาธารณะ


ข. คัปปลิ้งการนำความต้านทานที่เกิดจากอิมพีแดนซ์ของสายกราวด์ทั่วไป


ค. การมีเพศสัมพันธ์การนำความต้านทานที่สร้างขึ้นโดยอิมพีแดนซ์ของสายสาธารณะ


การปราบปรามเทคโนโลยี EMI สำหรับการสลับพาวเวอร์ซัพพลาย

(1) ลด dv/dt และ di/dt (ลดจุดสูงสุดและความชัน)


(2) การใช้วาริสเตอร์อย่างสมเหตุสมผลเพื่อลดแรงดันไฟกระชาก


(3) เครือข่ายการทำให้หมาด ๆ เพื่อระงับการเกินกำหนด


(4) ไดโอดที่มีคุณสมบัติการกู้คืนแบบนุ่มนวลเพื่อลด EMI ความถี่สูง


(5) การแก้ไขตัวประกอบกำลังแบบแอคทีฟและเทคโนโลยีการแก้ไขฮาร์มอนิกอื่น ๆ


(6) การใช้ตัวกรองสายไฟที่ออกแบบมาอย่างสมเหตุสมผล


(7) การต่อสายดินที่เหมาะสม


(8) มาตรการป้องกันที่มีประสิทธิภาพ


(9) การออกแบบ PCB ที่เหมาะสม


การสลับพลังงาน แหล่งสัญญาณรบกวนเทคโนโลยี EMI


(1) ท่อสวิตช์ไฟ

สวิตช์เปิด/ปิดทำงานในสถานะการเปลี่ยนรอบอย่างรวดเร็ว เปิด ปิด โดยทั้ง dv/dt และ di/dt เปลี่ยนแปลงอย่างรวดเร็ว ดังนั้นสวิตช์ไฟจึงไม่เพียงแต่เป็นแหล่งสัญญาณรบกวนหลักของการเชื่อมต่อสนามไฟฟ้าเท่านั้น แต่ยังเป็นแหล่งสัญญาณรบกวนหลักของการเชื่อมต่อสนามแม่เหล็กด้วย


(2)

แหล่งกำเนิด EMI ของหม้อแปลงความถี่สูงสะท้อนให้เห็นเป็นหลักในการแปลงวงจรแบบเร็ว di/dt ที่สอดคล้องกับตัวเหนี่ยวนำการรั่วไหล ดังนั้นหม้อแปลงความถี่สูงจึงเป็นแหล่งกำเนิดสัญญาณรบกวนที่สำคัญสำหรับการมีเพศสัมพันธ์ของสนามแม่เหล็ก


(3) วงจรเรียงกระแสไดโอด

แหล่งกำเนิด EMI ของไดโอดเรียงกระแสส่วนใหญ่จะสะท้อนให้เห็นในลักษณะการกู้คืนแบบย้อนกลับ จุดที่ไม่ต่อเนื่องของกระแสการกู้คืนแบบย้อนกลับจะสร้าง dv/dt สูงในตัวเหนี่ยวนำ (ตัวเหนี่ยวนำตะกั่ว ตัวเหนี่ยวนำหลงทาง ฯลฯ) นำไปสู่การรบกวนทางแม่เหล็กไฟฟ้าที่รุนแรง


(4) พีซีบี

เพื่อความแม่นยำ pCB คือช่องสัญญาณเชื่อมต่อของแหล่งสัญญาณรบกวนที่กล่าวมาข้างต้น และคุณภาพของ pcB สอดคล้องโดยตรงกับคุณภาพของการปราบปรามแหล่งสัญญาณ EMI


การควบคุมการเหนี่ยวนำการรั่วไหลในหม้อแปลงความถี่สูง

ความเหนี่ยวนำการรั่วไหลของหม้อแปลงความถี่สูงเป็นหนึ่งในสาเหตุสำคัญสำหรับการสร้างสวิตช์ไฟจากแรงดันไฟฟ้าสูงสุด ดังนั้นการควบคุมการเหนี่ยวนำการรั่วไหลจึงกลายเป็นปัญหาหลักในการแก้ไข EMI ที่เกิดจากหม้อแปลงความถี่สูง


จุดเริ่มต้นสองจุดสำหรับการลดการเหนี่ยวนำการรั่วไหลของหม้อแปลงความถี่สูง: การออกแบบทางไฟฟ้าและการออกแบบกระบวนการ!

(1) เลือกแกนแม่เหล็กที่เหมาะสมเพื่อลดการเหนี่ยวนำการรั่วไหล ความเหนี่ยวนำการรั่วไหลเป็นสัดส่วนกับกำลังสองของการหมุนด้านข้างเดิม และการลดจำนวนรอบจะช่วยลดความเหนี่ยวนำการรั่วไหลได้อย่างมาก


(2) ลดชั้นฉนวนระหว่างขดลวด ขณะนี้มีชั้นฉนวนที่เรียกว่า "ฟิล์มบางสีทอง" ซึ่งมีความหนา 20-100um และแรงดันพังทลายของพัลส์หลายพันโวลต์


(3) เพิ่มการเชื่อมต่อระหว่างขดลวดและลดการเหนี่ยวนำการรั่วไหล

 

2USB Regulated power supply

 

 

 

ส่งคำถาม