ความคืบหน้าในการวิจัยแหล่งจ่ายไฟเชิงเส้น LDO
เมื่อเร็ว ๆ นี้กลุ่มวิจัยของศาสตราจารย์มิ่งซินจากห้องปฏิบัติการเทคโนโลยีการรวมอำนาจของโรงเรียนวิทยาศาสตร์วงจรและวิศวกรรมรวมที่มหาวิทยาลัยวิทยาศาสตร์อิเล็กทรอนิกส์และเทคโนโลยีของจีนตีพิมพ์ผลการวิจัยที่ก้าวหน้าเกี่ยวกับเทคโนโลยีชั่วคราวที่มีพลังต่ำ
เทคโนโลยีนี้สามารถปรับปรุงประสิทธิภาพการถ่ายภาพความเร็วสูงของสมาร์ทโฟนและโดรนได้อย่างมาก มันใช้การกู้คืนกระแสไฟฟ้าขั้นสูงและสถาปัตยกรรมการควบคุมแคลมป์ที่ใช้งานด้วยการใช้พลังงานแบบคงที่เพียง 8.2 μ A สามารถจัดการการเปลี่ยนแปลงของโหลดความถี่สูงและต่ำได้พร้อมกันบีบอัดปัจจัยคุณภาพ LDO ชั่วคราวเป็น 41PS และบรรลุความสามารถในการกระโดดโหลดความถี่สูงที่สูงที่สุด
อุปกรณ์มือถือโดยทั่วไปใช้สถาปัตยกรรมแหล่งจ่ายไฟแบบจุดต่อจุดซึ่งประกอบด้วยแบตเตอรี่ลิเธียมที่เรียงซ้อนกันหลายตัวแปลงบั๊กและ LDOs Buck ใช้สำหรับการลดแรงดันไฟฟ้าที่มีประสิทธิภาพสูงในขณะที่ LDO แปลงแรงดันไฟฟ้าระลอกคลื่นของบั๊กเป็นแหล่งจ่ายไฟที่เสถียร ความท้าทายที่สำคัญที่เผชิญกับการออกแบบ LDO คือสำหรับแอปพลิเคชันเช่นหน่วยความจำแฟลชที่มีแรงดันไฟฟ้าอินพุตต่ำและกระแสโหลดสูงโดยทั่วไป LDOS มักจะใช้ทรานซิสเตอร์พลังงาน N-type เพื่อลดพื้นที่ชิปและเพิ่มประสิทธิภาพชั่วคราว เนื่องจากปัญหา Drive Dead Zone ที่ไม่ซ้ำกันของ NMOS-LDO ทำให้การโหลดความถี่สูงสามารถลดประสิทธิภาพชั่วคราวได้อย่างมีนัยสำคัญ ในขณะเดียวกันการใช้พลังงานแบบคงที่ของ LDO จะต้องลดอายุการใช้งานแบตเตอรี่ แต่การแสวงหาการใช้พลังงานต่ำจะลดประสิทธิภาพการทำงานที่สำคัญของ LDO เช่นอัตราส่วนการปราบปรามชั่วคราวและพลังงาน
จากความท้าทายข้างต้นทีมวิจัยได้ออกแบบการฟื้นตัวในปัจจุบันแบบคงที่และใกล้กับการขับขี่เป็นศูนย์สถาปัตยกรรมการควบคุม LDO โซน LDO และเสนอสถาปัตยกรรมบัฟเฟอร์ใหม่สำหรับการแปลงสภาพที่ดีขึ้น MOS ในขณะที่ขับเคลื่อนความจุประตูของทรานซิสเตอร์พลังงานได้อย่างมีประสิทธิภาพการใช้พลังงานคงที่จะถูกกู้คืนอย่างสมบูรณ์โดยโหลด; วงจรแคลมป์ที่ใช้งานจะใช้ในการจับขีด จำกัด ล่างของแรงดันเอาต์พุตของแอมพลิฟายเออร์ข้อผิดพลาดอย่างรวดเร็วและแม่นยำเมื่อแรงดันเอาต์พุตถูก overshoot ลดโซน LDO Drive Dead ให้อยู่ใกล้กับสถานะศูนย์
ด้วยความช่วยเหลือของเทคโนโลยีข้างต้น LDO ได้รับการออกแบบมาเพื่อให้ได้ปัจจัยคุณภาพ 41PS ที่การบริโภคเพียง 8.2 μ a ในขณะที่ความผันผวนของแรงดันไฟฟ้าเอาท์พุทในระหว่างการเปลี่ยนแปลงความถี่สูงเพิ่มขึ้นเพียง 40% เมื่อเทียบกับความถี่ต่ำ เมื่อเทียบกับระดับการวิจัยขั้นสูงระหว่างประเทศมันมีข้อได้เปรียบที่สำคัญในการตอบสนองความเร็วสูงและพลังงานต่ำ
