ข้อกำหนดสำหรับการออกแบบแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งชิปตัวเดียว

ข้อกำหนดสำหรับการออกแบบแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งชิปตัวเดียว

(1) วงจรป้อนกลับของ TOPSwitch-II จำเป็นต้องติดตั้งโฟโตคัปเปลอร์เพื่อแยกออกจากวงจรเอาท์พุต เมื่อออกแบบแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งที่มีความแม่นยำ ควรเพิ่มตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าที่เกี่ยวข้องกับความแม่นยำแบบปรับได้ TL431 เพื่อสร้างเครื่องขยายสัญญาณข้อผิดพลาดภายนอกเพื่อแทนที่ท่อควบคุมแรงดันไฟฟ้าในวงจรสุ่มตัวอย่าง อัตราการควบคุมแรงดันไฟฟ้า Sv และอัตราการควบคุมปัจจุบัน Sl ของแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งที่มีความแม่นยำสามารถเข้าถึงได้ประมาณ ±0.2% ซึ่งใกล้เคียงกับตัวบ่งชี้ของแหล่งจ่ายไฟที่มีการควบคุมในตัวเชิงเส้น

(2) ควรเลือกออปโตคัปเปลอร์ที่อัตราส่วนการถ่ายโอนกระแส (CTR) สามารถเปลี่ยนเชิงเส้นได้ เช่น pC817A, NEC2501, 6N137 และรุ่นอื่นๆ ไม่แนะนำให้ใช้ออปโตคัปเปลอร์ธรรมดาประเภท 4N×× เช่น 4N25 และ 4N35 หลังมีความเป็นเชิงเส้นต่ำและจะทำให้เกิดการบิดเบือนเมื่อส่งสัญญาณอะนาล็อกซึ่งส่งผลต่อประสิทธิภาพการรักษาเสถียรภาพแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง

(3) ด้านปฐมภูมิของหม้อแปลงความถี่สูงจะต้องติดตั้งวงจรป้องกันเพื่อดูดซับแรงดันไฟฟ้าสูงสุดที่เกิดจากการเหนี่ยวนำการรั่วไหลเพื่อให้แน่ใจว่า MOSFET จะไม่เสียหาย วงจรป้องกันนี้ควรเชื่อมต่อแบบขนานกับวงจรหลัก มีสี่ตัวเลือกการออกแบบเฉพาะ: 1 วงจรหนีบประกอบด้วยไดโอดลดแรงดันไฟฟ้าชั่วคราว (TVS) และไดโอดกู้คืนเร็วเป็นพิเศษ (SRD); 2 วงจรจับยึดประกอบด้วย TVS และวงจรเรียงกระแสซิลิคอน (VD) วงจรจับยึดประกอบด้วยองค์ประกอบ RC 3 วงจรการดูดซึมประกอบด้วยองค์ประกอบ RC และ SRD ④ วงจรการดูดซึมประกอบด้วยองค์ประกอบ RC และ VD ในบรรดาวิธีแก้ปัญหาข้างต้น 1 มีผลดีที่สุดและสามารถให้ข้อดีของ TVS ได้อย่างเต็มที่ด้วยความเร็วตอบสนองที่รวดเร็วเป็นพิเศษและความสามารถในการทนต่อพัลส์ชั่วคราวที่มีพลังงานสูง แผน 2 เป็นแผนรอง

(4) ต้องใช้แผ่นระบายความร้อนที่เหมาะสมเมื่อใช้ชิป สำหรับแพ็คเกจ TO-220 สามารถติดตั้งได้โดยตรงบนบอร์ดหลวมขนาดเล็ก สำหรับแพ็คเกจ DIp-8 และ SMD-8 สามารถบัดกรีแหล่งกำเนิดทั้งสี่เข้ากับฟอยล์ทองแดงของแผงวงจรพิมพ์ที่มีพื้นที่ 2.3 แทนแผงระบายความร้อน

(5) เพื่อระงับการรบกวนที่เกิดขึ้นจากโครงข่ายไฟฟ้า และป้องกันการรบกวนที่เกิดจากแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งจากการถูกส่งไปยังภายนอก จำเป็นต้องเพิ่มตัวกรองสัญญาณรบกวนแม่เหล็กไฟฟ้าระดับแรก (EMIfilter) ที่พลังงานขาเข้า end หรือที่เรียกว่าตัวกรองสัญญาณรบกวนของแหล่งจ่ายไฟ (pNF)

(6) เมื่อใช้ชิปประเภทนี้ สายแหล่งจ่ายควรสั้นที่สุด เพื่อรักษาเสถียรภาพของแรงดันไฟฟ้าเอาท์พุตเมื่อไม่มีโหลดหรือโหลดเบา ควรเชื่อมต่อตัวต้านทานหลายร้อยโอห์มเข้ากับปลายเอาต์พุตของแหล่งจ่ายไฟที่มีการควบคุมเป็นโหลดขั้นต่ำ หรือสามารถเชื่อมต่อท่อควบคุมแรงดันไฟฟ้าแบบขนานได้