ความเข้ากันได้ทางแม่เหล็กไฟฟ้า SMPS
การสื่อสารสวิตชิ่งพาวเวอร์ซัพพลายเนื่องจากการทำงานในสถานะสวิตชิ่งของไฟฟ้าแรงสูงและกระแสสูง ความเข้ากันได้ทางแม่เหล็กไฟฟ้าที่เกิดจากปัญหาค่อนข้างซับซ้อน จากความเข้ากันได้ทางแม่เหล็กไฟฟ้าของเครื่อง ส่วนใหญ่จะประกอบด้วยข้อต่ออิมพีแดนซ์ทั่วไป ข้อต่อสาย ข้อต่อสนามไฟฟ้า ข้อต่อสนามแม่เหล็ก และข้อต่อคลื่นแม่เหล็กไฟฟ้า ความเข้ากันได้ทางแม่เหล็กไฟฟ้าทำให้เกิดองค์ประกอบสามประการ: แหล่งที่มาของการรบกวน เส้นทางการแพร่กระจาย และร่างกายที่ถูกรบกวน การมีเพศสัมพันธ์ความต้านทานทั่วไปเป็นแหล่งสัญญาณรบกวนส่วนใหญ่และร่างกายที่ถูกรบกวนในการดำรงอยู่ทางไฟฟ้าของความต้านทานทั่วไปผ่านความต้านทานของสัญญาณรบกวนเข้าไปในวัตถุที่ถูกรบกวน การต่อสายส่วนใหญ่สร้างขึ้นโดยแรงดันไฟฟ้ารบกวนและสายไฟกระแสรบกวนหรือสาย pcb เนื่องจากการเดินสายแบบขนานและการมีเพศสัมพันธ์ร่วมกัน การมีเพศสัมพันธ์ของสนามไฟฟ้าส่วนใหญ่เกิดจากการมีอยู่ของความต่างศักย์ สนามไฟฟ้าเหนี่ยวนำที่เกิดจากการมีเพศสัมพันธ์ของร่างกายที่ถูกรบกวน การมีเพศสัมพันธ์ของสนามแม่เหล็กส่วนใหญ่เป็นการมีเพศสัมพันธ์ที่เกิดจากสนามแม่เหล็กความถี่ต่ำใกล้กับสายไฟพัลซิ่งของกระแสสูงไปยังวัตถุรบกวน ในทางกลับกัน การมีเพศสัมพันธ์ของคลื่นแม่เหล็กไฟฟ้า สาเหตุหลักมาจากคลื่นแม่เหล็กไฟฟ้าความถี่สูงที่สร้างขึ้นโดยแรงดันไฟฟ้าหรือกระแสไฟฟ้าที่เร้าใจ ซึ่งแผ่ออกไปด้านนอกผ่านอวกาศและสร้างการมีเพศสัมพันธ์กับร่างกายที่ถูกรบกวนที่สอดคล้องกัน ในความเป็นจริง โหมดการเชื่อมต่อแต่ละประเภทไม่สามารถแยกความแตกต่างอย่างเคร่งครัด เพียงแค่มุ่งเน้นไปที่สิ่งต่าง ๆ
ในแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง หลอดสวิตชิ่งหลักอยู่ในโหมดการทำงานไฟฟ้าแรงสูง โหมดสวิตชิ่งความถี่สูง แรงดันสวิตชิ่งและกระแสสวิตชิ่งเป็นคลื่นสี่เหลี่ยม คลื่นสี่เหลี่ยมประกอบด้วยสเปกตรัมฮาร์มอนิกสูงถึงมากกว่า 1,{{ 2}} เท่าของความถี่ของคลื่นสี่เหลี่ยม ในเวลาเดียวกัน เนื่องจากความเหนี่ยวนำการรั่วไหลและความจุการกระจายของหม้อแปลงไฟฟ้า เช่นเดียวกับอุปกรณ์สวิตช์ไฟหลักไม่เหมาะ ในการเปิดหรือปิดความถี่สูง มักจะสร้างเข็มความถี่สูงและแรงดันสูง การสั่นแบบฮาร์มอนิก การสั่นแบบฮาร์มอนิกที่เกิดจากฮาร์โมนิคสูง ผ่านการกระจายความจุระหว่างท่อสวิตชิ่งและฮีทซิงค์เข้าสู่วงจรภายใน หรือผ่านฮีทซิงค์และหม้อแปลงไฟฟ้าไปจนถึงการแผ่รังสีในอวกาศ การสลับไดโอดที่ใช้ในการแก้ไขและการต่ออายุก็เป็นสาเหตุสำคัญของการรบกวนความถี่สูงเช่นกัน เนื่องจากวงจรเรียงกระแสและไดโอดต่ออายุกระแสไฟฟ้าทำงานในสถานะการสลับความถี่สูง เนื่องจากการเหนี่ยวนำปรสิตตะกั่วของไดโอด ความจุทางแยก และการมีอยู่ของกระแสการกู้คืนแบบย้อนกลับ เพื่อให้ทำงานที่อัตราการเปลี่ยนแปลงแรงดันและกระแสที่สูงมาก และก่อให้เกิดการสั่นความถี่สูง เนื่องจากวงจรเรียงกระแสและไดโอดกระแสโดยทั่วไปจะอยู่ใกล้กับสายเอาท์พุตของแหล่งจ่ายไฟ การรบกวนความถี่สูงที่สร้างขึ้นโดยส่วนใหญ่มีแนวโน้มที่จะถูกส่งผ่านสายเอาท์พุต DC
แหล่งจ่ายไฟสลับการสื่อสารเพื่อปรับปรุงตัวประกอบกำลังใช้ในวงจรแก้ไขตัวประกอบกำลังที่ใช้งานอยู่ ในเวลาเดียวกัน เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือของวงจร ลดความเครียดทางไฟฟ้าของอุปกรณ์ไฟฟ้า เทคโนโลยีสวิตช์นุ่มจำนวนมาก ในหมู่พวกเขาเทคโนโลยีการสลับแรงดันไฟฟ้าเป็นศูนย์, กระแสเป็นศูนย์หรือเป็นศูนย์ - แรงดันไฟฟ้าเป็นศูนย์กระแสมีการใช้กันอย่างแพร่หลายมากที่สุด เทคโนโลยีนี้ช่วยลดการรบกวนทางแม่เหล็กไฟฟ้าที่เกิดจากอุปกรณ์สวิตชิ่งได้อย่างมาก อย่างไรก็ตาม วงจรการดูดซึมแบบไม่สูญเสียการสูญเสียแบบซอฟต์สวิตชิ่งมากกว่าการใช้ l, c สำหรับการถ่ายโอนพลังงาน การใช้การนำไฟฟ้าทิศทางเดียวของไดโอดเพื่อให้เกิดการแปลงพลังงานในทิศทางเดียว ดังนั้น วงจรเรโซแนนซ์ในไดโอดจึงกลายเป็นแหล่งกำเนิดแม่เหล็กไฟฟ้าที่สำคัญ การรบกวน การรบกวน
แหล่งจ่ายไฟสลับการสื่อสาร การใช้ตัวเหนี่ยวนำและตัวเก็บประจุเก็บพลังงานโดยทั่วไปเพื่อสร้างวงจรกรอง l, c เพื่อให้ได้โหมดดิฟเฟอเรนเชียลและการกรองสัญญาณรบกวนโหมดทั่วไป เช่นเดียวกับสัญญาณคลื่นสี่เหลี่ยม AC ที่แปลงเป็นสัญญาณ DC ที่ราบรื่น เนื่องจากความจุแบบกระจายของขดลวดเหนี่ยวนำ ส่งผลให้ความถี่เรโซแนนซ์ในตัวของขดลวดเหนี่ยวนำลดลง ซึ่งส่งผลให้สัญญาณรบกวนความถี่สูงจำนวนมากผ่านขดลวดเหนี่ยวนำและแพร่กระจายออกไปด้านนอกตามแนวไฟฟ้ากระแสสลับ สายจ่ายไฟหรือสายเอาต์พุต DC ตัวเก็บประจุกรองที่มีความถี่เพิ่มขึ้นของสัญญาณรบกวนเนื่องจากบทบาทของตัวเหนี่ยวนำตะกั่ว ส่งผลให้ความจุและผลการกรองลดลงอย่างต่อเนื่อง จนกระทั่งถึงความถี่เรโซแนนซ์ข้างต้น การสูญเสียความจุอย่างสมบูรณ์และกลายเป็นอุปนัย . การใช้ตัวเก็บประจุกรองไม่ถูกต้องและตะกั่วนานเกินไปก็เป็นสาเหตุของการรบกวนทางแม่เหล็กไฟฟ้าเช่นกัน
แหล่งจ่ายไฟสลับการสื่อสารเนื่องจากมีความหนาแน่นของพลังงานสูง ความฉลาดระดับสูง ด้วยไมโครโปรเซสเซอร์ mcu จึงมีสัญญาณแรงดันไฟฟ้าตั้งแต่สูงไปเกือบ 1,000 โวลต์ไปจนถึงต่ำไปจนถึงไม่กี่โวลต์ จากดิจิตอลความถี่สูง สัญญาณไปยังสัญญาณอะนาล็อกความถี่ต่ำ แหล่งจ่ายไฟภายในเขตการกระจายค่อนข้างซับซ้อน การเดินสาย PCB ไม่สมเหตุสมผล, การออกแบบโครงสร้างไม่สมเหตุสมผล, การกรองอินพุตของสายจ่ายไฟไม่สมเหตุสมผล, สายจ่ายไฟอินพุตและเอาต์พุตไม่ได้ต่อสายอย่างสมเหตุสมผล, การออกแบบซีพียูและวงจรการตรวจจับไม่สมเหตุสมผล ทั้งหมดนี้จะเป็นสาเหตุของการรบกวนทางแม่เหล็กไฟฟ้า การออกแบบวงจรไม่สมเหตุสมผล จะนำไปสู่ความไม่เสถียรของระบบหรือลดการปล่อยประจุไฟฟ้าสถิต กลุ่มพัลส์ชั่วคราวทางไฟฟ้าเร็ว การรบกวนฟ้าผ่า ไฟกระชากและการนำ การรบกวนการแผ่รังสี และสนามแม่เหล็กไฟฟ้าที่แผ่ออกมา เช่น ความสามารถในการสร้างภูมิคุ้มกัน
การวิจัยความเข้ากันได้ทางแม่เหล็กไฟฟ้า โดยทั่วไปจะใช้ cispr16 และ iec61000 ในข้อกำหนดของอุปกรณ์ทดสอบสนามแม่เหล็กไฟฟ้าและเครื่องจำลองสัญญาณรบกวน อุปกรณ์เสริม ในสถานที่ทดสอบมาตรฐานหรือห้องปฏิบัติการ ผ่านการทดสอบและวิเคราะห์อย่างละเอียดถี่ถ้วน รวมกับความเข้าใจในวงจร ประสิทธิภาพในการวิเคราะห์งานวิจัย
