กฎทางเทคนิคและการประยุกต์ใช้เค้าโครง PCB แบบสวิตชิ่งพาวเวอร์ซัพพลาย
กฎทางเทคนิคของเค้าโครง PCB การสลับแหล่งจ่ายไฟ
ความจุของตัวเก็บประจุเซรามิกบายพาสไม่ควรใหญ่เกินไป และควรลดค่าความเหนี่ยวนำของชุดกาฝากให้เหลือน้อยที่สุด ตัวเก็บประจุหลายตัวที่เชื่อมต่อแบบขนานสามารถปรับปรุงลักษณะอิมพีแดนซ์ความถี่สูงของตัวเก็บประจุได้
เมื่อความถี่ในการทำงานของตัวเก็บประจุต่ำกว่าค่า ความต้านทานของตัวเก็บประจุ Zc จะลดลงตามความถี่ที่เพิ่มขึ้น เมื่อความถี่ในการทำงานของตัวเก็บประจุสูงกว่าค่า ความต้านทานของตัวเก็บประจุ Zc จะกลายเป็นเหมือนความต้านทานแบบอุปนัยและเพิ่มขึ้นตามความถี่ที่เพิ่มขึ้น เมื่อตัวเก็บประจุทำงาน เมื่อความถี่ใกล้เคียงกับ fo อิมพีแดนซ์ของตัวเก็บประจุจะเท่ากับความต้านทานอนุกรมสมมูล (RESR)
ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรลีติคโดยทั่วไปมีความจุขนาดใหญ่และตัวเหนี่ยวนำอนุกรมที่เทียบเท่าขนาดใหญ่ เนื่องจากความถี่เรโซแนนซ์ต่ำ จึงสามารถใช้สำหรับการกรองความถี่ต่ำเท่านั้น ตัวเก็บประจุแบบแทนทาลัมโดยทั่วไปมีความจุขนาดใหญ่กว่าและตัวเหนี่ยวนำอนุกรมเทียบเท่าที่น้อยกว่า ดังนั้นความถี่เรโซแนนซ์จะสูงกว่าตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรลีติค และสามารถใช้ในการกรองความถี่ปานกลางและสูงได้ ค่าความจุและความเหนี่ยวนำอนุกรมที่เทียบเท่าของตัวเก็บประจุชิปเซรามิกโดยทั่วไปมีขนาดเล็กมาก ดังนั้นความถี่เรโซแนนซ์จึงสูงกว่าตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรลีติคและตัวเก็บประจุแบบแทนทาลัมมาก ดังนั้นจึงสามารถใช้ในวงจรกรองความถี่สูงและวงจรบายพาสได้ เนื่องจากความถี่เรโซแนนซ์ของตัวเก็บประจุชิปเซรามิกความจุขนาดเล็กจะสูงกว่าของตัวเก็บประจุชิปเซรามิกความจุขนาดใหญ่ ดังนั้นใน
เมื่อเลือกตัวเก็บประจุบายพาส จะไม่สามารถเลือกตัวเก็บประจุชิปเซรามิกที่มีความจุสูงเกินไปได้ เพื่อปรับปรุงลักษณะความถี่สูงของตัวเก็บประจุ สามารถใช้ตัวเก็บประจุหลายตัวที่มีลักษณะแตกต่างกันแบบขนานได้ รูปที่ 1(a) แสดงผลอิมพีแดนซ์ที่ดีขึ้นหลังจากเชื่อมต่อตัวเก็บประจุหลายตัวที่มีลักษณะแตกต่างกันแบบขนาน ไม่ยากที่จะเข้าใจถึงความสำคัญของกฎการเรียงพิมพ์นี้ผ่านการวิเคราะห์ รูปที่ 1(b) แสดงเส้นทางต่างๆ จากแหล่งจ่ายอินพุต (VIN) ไปยังโหลด (RL) บน PCB เพื่อลด ESL ของตัวเก็บประจุตัวกรอง (C) ความยาวตะกั่วของขาตัวเก็บประจุควรสั้นที่สุดเท่าที่จะเป็นไปได้: ในขณะที่ร่องรอยของ VIN บวกกับ RL และ VIN ที่เป็นลบกับ RL ควรใกล้เคียงที่สุด
