การสลับบทบาทตัวต้านทานเริ่มต้นของแหล่งจ่ายไฟ
การสลับแหล่งจ่ายไฟวงจรในการเลือกความต้านทานไม่เพียงพิจารณาค่ากระแสไฟฟ้าเฉลี่ยในวงจรที่เกิดจากการใช้พลังงานเท่านั้น แต่ยังพิจารณาความสามารถในการทนต่อกระแสไฟพีคสูงสุดด้วย ตัวอย่างทั่วไปของตัวต้านทานการสุ่มตัวอย่างพลังงานสำหรับการสลับหลอด MOS การสลับหลอด MOS เป็นอนุกรมระหว่างตัวต้านทานการสุ่มตัวอย่างพื้นดิน ค่าทั่วไปของความต้านทานนี้มีขนาดเล็กมาก แรงดันไฟฟ้าตกสูงสุดไม่เกิน 2V ตามการใช้พลังงานในการคำนวณ ดูเหมือนจะไม่จำเป็นต้องใช้ตัวต้านทานกำลังสูง แต่เมื่อคำนึงถึงความสามารถในการทนต่อกระแสสูงสุดสูงสุดของการเปลี่ยนหลอด MOS ในขณะที่เปิดเครื่อง แอมพลิจูดของกระแสจะมีขนาดใหญ่กว่าค่าปกติมาก ในเวลาเดียวกันความน่าเชื่อถือของตัวต้านทานก็มีความสำคัญอย่างยิ่งเช่นกันหากการทำงานของกระแสกระแทกและวงจรเปิดตัวต้านทานจะอยู่ในแผงวงจรพิมพ์ระหว่างจุดสองจุดจะสร้างแรงดันไฟฟ้าเท่ากับแรงดันไฟฟ้าบวก แรงดันไฟฟ้าเคาน์เตอร์พีคของพัลส์ไฟฟ้าแรงสูงและพัง แต่ยังพังวงจรป้องกันกระแสเกิน IC ด้วยเหตุนี้ การเลือกตัวต้านทานโดยทั่วไปคือตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ 2W แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งบางตัวที่มีตัวต้านทาน 2-4 1W ขนานกัน ไม่ใช่เพื่อเพิ่มการกระจายพลังงาน แต่เพื่อให้ความน่าเชื่อถือ แม้ว่าตัวต้านทานจะได้รับความเสียหายเป็นครั้งคราว ยังมีอีกหลายตัวเพื่อหลีกเลี่ยงปรากฏการณ์วงจรเปิดของวงจร ในทำนองเดียวกัน ตัวต้านทานการสุ่มตัวอย่างสำหรับแรงดันเอาต์พุตของแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งก็มีความสำคัญเช่นกัน เมื่อตัวต้านทานเปิดอยู่ แรงดันไฟฟ้าในการสุ่มตัวอย่างจะเป็นศูนย์โวลต์ พัลส์เอาต์พุตของชิป PWM จะเพิ่มขึ้นเป็นค่าสูงสุด และแรงดันเอาต์พุตของแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งจะเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็ว นอกจากนี้ยังมีตัวต้านทานจำกัดกระแสโฟโตคัปเปลอร์ (ออปโตคัปเปลอร์) และอื่นๆ
ในแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง การใช้ตัวต้านทานแบบอนุกรมเป็นเรื่องปกติมาก จุดประสงค์ไม่ใช่เพื่อเพิ่มการใช้พลังงานหรือค่าความต้านทานของตัวต้านทาน แต่เพื่อปรับปรุงความสามารถของตัวต้านทานในการทนต่อแรงดันไฟฟ้าสูงสุด ตัวต้านทานโดยทั่วไป แรงดันไฟฟ้าทนไม่ได้ให้ความสนใจมากเกินไป ในความเป็นจริง ค่ากำลังและความต้านทานของตัวต้านทานที่แตกต่างกันคือแรงดันไฟฟ้าปฏิบัติการสูงสุดของตัวบ่งชี้นี้ เมื่ออยู่ในแรงดันไฟฟ้าสูงสุด เนื่องจากความต้านทานสูง การใช้พลังงานจะต้องไม่เกินค่าพิกัด แต่ตัวต้านทานก็จะพังเช่นกัน เหตุผลก็คือ ตัวต้านทานแบบฟิล์มหลายชนิดคือความหนาของฟิล์มเพื่อควบคุมค่าความต้านทาน ค่าความต้านทานสูงของตัวต้านทานยังถูกเผาในฟิล์มหลังร่องเพื่อขยายความยาวของฟิล์มในรูปของร่อง ยิ่งค่าความต้านทานมาก ความหนาแน่นของร่องก็มีมากเช่นกัน เมื่อใช้ในวงจรไฟฟ้าแรงสูง ร่องระหว่างการเกิดการปล่อยประจุทำให้เกิดความเสียหายต่อตัวต้านทาน ดังนั้นการสลับแหล่งจ่ายไฟบางครั้งจงใจประกอบด้วยตัวต้านทานหลายตัวต่ออนุกรมเพื่อป้องกันปรากฏการณ์นี้ ตัวอย่างเช่น แหล่งจ่ายไฟสลับที่ตื่นเต้นในตัวเองทั่วไปในตัวต้านทานไบแอสเริ่มต้น ความหลากหลายของหลอดสวิตช์แหล่งจ่ายไฟสลับที่เข้าถึงความต้านทานวงจรการดูดซับ DCR ตลอดจนบัลลาสต์หลอดไฟเมทัลฮาไลด์ในส่วนไฟฟ้าแรงสูงของการประยุกต์ใช้ความต้านทานและอื่น ๆ
PTC และ NTC เป็นของประสิทธิภาพการระบายความร้อนส่วนประกอบ, PTC มีค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิเชิงบวกขนาดใหญ่ NTC ตรงกันข้าม มีค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิเชิงลบขนาดใหญ่ ค่าความต้านทานและลักษณะอุณหภูมิ ลักษณะโวลต์-แอมแปร์ และความสัมพันธ์ปัจจุบันและเวลาแตกต่างอย่างสิ้นเชิงจากตัวต้านทานทั่วไป ในแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิบวกของตัวต้านทาน PTC มักใช้ในวงจรที่ต้องการแหล่งจ่ายไฟทันที ตัวอย่างเช่น รู้สึกตื่นเต้นที่จะขับเคลื่อนวงจรจ่ายไฟวงจรรวมโดยใช้ PTC เมื่อกำลังไฟฟ้าที่มีความต้านทานต่ำทันทีเพื่อขับเคลื่อนวงจรรวมเพื่อให้กระแสเริ่มต้น จะถูกสร้างหลังจากพัลส์เอาท์พุตของวงจรรวม จากนั้นโดย การจ่ายแรงดันไฟฟ้าวงจรเรียงกระแสวงจรสวิตชิ่ง ในระหว่างกระบวนการนี้ PTC จะปิดวงจรเริ่มต้นโดยอัตโนมัติเนื่องจากอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นของกระแสเริ่มต้นและการเพิ่มขึ้นของค่าความต้านทาน ตัวต้านทานลักษณะอุณหภูมิเชิงลบ NTC ใช้กันอย่างแพร่หลายในตัวต้านทานจำกัดกระแสอินพุตทันทีของ การสลับแหล่งจ่ายไฟเพื่อทดแทนตัวต้านทานซีเมนต์แบบเดิมซึ่งไม่เพียงช่วยประหยัดพลังงาน แต่ยังช่วยลดอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นภายในเครื่องอีกด้วย การเปลี่ยนแหล่งจ่ายไฟในขณะที่เปิดสวิตช์กระแสไฟชาร์จเริ่มต้นของตัวกรองตัวเก็บประจุมีขนาดใหญ่มาก NTC อุ่นเครื่องอย่างรวดเร็ว หลังจากชาร์จประจุสูงสุดแล้ว ความต้านทานของตัวต้านทาน NTC เนื่องจากอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นลดลงในสถานะปัจจุบันการทำงานปกติเพื่อรักษาความต้านทานต่ำ เพื่อให้การใช้พลังงานของเครื่องทั้งหมดเป็นอย่างมาก ที่ลดลง.
นอกจากนี้ วาริสเตอร์ซิงค์ออกไซด์ยังมักใช้ในสายจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งอีกด้วย วาริสเตอร์ซิงค์ออกไซด์มีฟังก์ชั่นการดูดซับแรงดันไฟฟ้าที่รวดเร็วมาก คุณสมบัติที่ใหญ่ที่สุดของวาริสเตอร์คือเมื่อแรงดันไฟฟ้าที่เพิ่มด้านบนนั้นต่ำกว่าเกณฑ์ กระแสที่ไหลผ่านมีขนาดเล็กมาก เทียบเท่ากับวาล์วปิด เมื่อ แรงดันไฟฟ้าเกินเกณฑ์ กระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านจะกระชาก เท่ากับวาล์วที่เปิดอยู่ การใช้ฟังก์ชันนี้ คุณสามารถยับยั้งวงจรแรงดันไฟฟ้าเกินผิดปกติบ่อยครั้ง ป้องกันวงจรจากความเสียหายจากแรงดันไฟฟ้าเกิน โดยทั่วไปวาริสเตอร์จะเชื่อมต่อกับอินพุตยูทิลิตี้จ่ายไฟสลับ สามารถดูดซับไฟฟ้าแรงสูงฟ้าผ่าเหนี่ยวนำตาราง ในแรงดันไฟฟ้ายูทิลิตี้สูงเกินไป มีบทบาทในการป้องกัน
