จุดสูงสุดของการบีบอัดการสั่นจะถูกสื่อสารไปยังปลายเอาต์พุตในระหว่างกระบวนการถ่ายโอนพลังงาน ทำให้เกิดเสียงรบกวน โดยทั่วไปเราใช้ RC, RCD และวงจรการดูดกลืนแสงอื่นๆ และตัวเก็บประจุแบบดูดกลืนมักจะใช้ตัวเก็บประจุเซรามิกแรงดันสูงเพื่อแก้ไขปัญหานี้
แรงดึงดูดระหว่างแกนแม่เหล็กทั้งสองส่วนเนื่องจากการเคลื่อนที่สัมพัทธ์เพื่อเคลื่อนแกนแม่เหล็ก การบีบอัดตัวกลางที่แยกออกจากกัน ตลอดจนแรงกระแทกที่ทำให้พื้นผิวของแกนแม่เหล็กทั้งสองสัมผัสกันและพวกมันตอบสนอง คือบางส่วนของ กลไกในหม้อแปลงที่ทำให้เกิดเสียง มีรอยแยกที่ขาตรงกลางของแกนแม่เหล็ก เช่นเดียวกับการเคลื่อนที่ของแม่เหล็กฟลักซ์กระตุ้นจะทำให้ทั้งสองชนกันหรือขีดข่วน
คาปาซิเตอร์เซรามิกราคาถูกยังมีวัสดุฉนวนที่ไม่เชิงเส้นซึ่งมักมีแบเรียมไททาเนตที่มีความเข้มข้นสูง ซึ่งที่อุณหภูมิการทำงานปกติจะสร้างเอฟเฟกต์เพียโซอิเล็กทริก ด้วยเหตุนี้ ชิ้นส่วนเหล่านี้จะก่อให้เกิดเสียงรบกวนมากกว่าตัวเก็บประจุที่มีส่วนประกอบที่เป็นฉนวนเชิงเส้น เพื่อแก้ปัญหาเรื่องความจุ เราสามารถเปลี่ยนตัวเก็บประจุเซรามิกแรงดันสูงที่ใช้ในวงจรดูดซับเป็นตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโพลีเอสเตอร์ที่มีผลบังคับทางไฟฟ้าเล็กน้อย สิ่งนี้จะช่วยขจัดเสียงรบกวนที่เกิดจากความจุ
ปัจจัยสุดท้ายคือเสียงรบกวนที่เกิดจากการรบกวนสัญญาณของแผงวงจรพิมพ์ ปัญหานี้จะได้รับการแก้ไขโดยการเพิ่มวงจรการดูดซับที่ปลายทั้งสองของ FET DS ในระหว่างขั้นตอนการออกแบบเพื่อลดการขัดขวาง ซึ่งจะลดสัญญาณรบกวนเอาต์พุตของโมดูลพลังงานลงอย่างมาก
