+86-18822802390

ติดต่อเรา

  • โทรศัพท์: +8618822802390

  • อีเมล:admin@gvda-instrument.com

  • วอตส์แอปป์: 8618822802390

  • เพิ่ม: ห้อง 610-612 อาคารธุรกิจ Huachuangda เขต 46 ถนน Cuizhu ถนน Xin'an Bao'an เซินเจิ้น

ช่องส่งสัญญาณสำหรับเทคโนโลยีสวิตชิ่งพาวเวอร์ซัพพลาย EMI

Dec 02, 2023

ช่องส่งสัญญาณสำหรับเทคโนโลยีสวิตชิ่งพาวเวอร์ซัพพลาย EMI

 

แหล่งที่มาของการรบกวน EMI ของอุปกรณ์จ่ายไฟแบบสวิตชิ่งนั้นกระจุกตัวอยู่ในสวิตช์ไฟ ไดโอดเรียงกระแส หม้อแปลงความถี่สูง ฯลฯ การรบกวนของสภาพแวดล้อมภายนอกต่ออุปกรณ์จ่ายไฟแบบสวิตชิ่งส่วนใหญ่มาจากความกระวนกระวายใจของโครงข่ายไฟฟ้า ฟ้าผ่า การแผ่รังสีจากภายนอก ฯลฯ


(1) ช่องทางการส่งสัญญาณของการรบกวนที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้า


(1) การมีเพศสัมพันธ์แบบคาปาซิทีฟ


(2) การมีเพศสัมพันธ์แบบเหนี่ยวนำ


(3) การมีเพศสัมพันธ์แบบต้านทาน

ก. ข้อต่อการนำไฟฟ้าแบบต้านทานที่เกิดจากความต้านทานภายในของแหล่งจ่ายไฟสาธารณะ

ข. คัปปลิ้งการนำไฟฟ้าแบบต้านทานที่เกิดจากอิมพีแดนซ์ของสายกราวด์ทั่วไป

ค. คัปปลิ้งการนำไฟฟ้าแบบต้านทานที่เกิดจากอิมพีแดนซ์ของสายร่วม


การสลับแหล่งจ่ายไฟการปราบปรามเทคโนโลยี EMI

(1) ลด dv/dt และ di/dt (ลดค่าสูงสุดและลดความชันลง)

(2) การใช้วาริสเตอร์อย่างสมเหตุสมผลเพื่อลดแรงดันไฟกระชาก

(3) เครือข่ายการทำให้หมาด ๆ ระงับการเกินกำหนด

(4) ใช้ไดโอดที่มีคุณสมบัติการกู้คืนแบบนุ่มนวลเพื่อลด EMI ความถี่สูง

(5) การแก้ไขตัวประกอบกำลังแบบแอคทีฟและเทคโนโลยีการแก้ไขฮาร์มอนิกอื่น ๆ

(6) ใช้ตัวกรองสายไฟที่ออกแบบมาอย่างเหมาะสม

(7) การต่อสายดินที่เหมาะสม

(8) มาตรการป้องกันที่มีประสิทธิภาพ

(9) การออกแบบ PCB ที่เหมาะสม


การสลับแหล่งจ่ายไฟแหล่งสัญญาณรบกวนเทคโนโลยี EMI


(1) ท่อสวิตช์ไฟ
ท่อสวิตช์เปิด/ปิดทำงานในสถานะการแปลงรอบเปิด-ปิดอย่างรวดเร็ว และทั้ง dv/dt และ di/dt กำลังเปลี่ยนแปลงอย่างรวดเร็ว ดังนั้นหลอดสวิตช์ไฟจึงไม่เพียงแต่เป็นแหล่งสัญญาณรบกวนหลักของการเชื่อมต่อสนามไฟฟ้าเท่านั้น แต่ยังเป็นแหล่งสัญญาณรบกวนหลักของการเชื่อมต่อสนามแม่เหล็กด้วย


(2)
แหล่งกำเนิด EMI ของหม้อแปลงความถี่สูงมีความเข้มข้นในการเปลี่ยนแปลงวงจรอย่างรวดเร็วของ di/dt ซึ่งสอดคล้องกับตัวเหนี่ยวนำการรั่วไหล ดังนั้นหม้อแปลงความถี่สูงจึงเป็นแหล่งกำเนิดสัญญาณรบกวนที่สำคัญของการมีเพศสัมพันธ์ของสนามแม่เหล็ก


(3) วงจรเรียงกระแสไดโอด
แหล่งกำเนิด EMI ของไดโอดเรียงกระแสมีความเข้มข้นในลักษณะการกู้คืนแบบย้อนกลับ จุดที่ไม่ต่อเนื่องของกระแสการกู้คืนแบบย้อนกลับจะทำให้เกิด dv/dt สูงในตัวเหนี่ยวนำ (ตัวเหนี่ยวนำตะกั่ว ตัวเหนี่ยวนำหลงทาง ฯลฯ) ส่งผลให้เกิดการรบกวนทางแม่เหล็กไฟฟ้าที่รุนแรง


(4) พีซีบี
เพื่อความแม่นยำ PCB คือช่องสัญญาณเชื่อมต่อของแหล่งสัญญาณรบกวนที่กล่าวมาข้างต้น คุณภาพของ PCB สอดคล้องโดยตรงกับคุณภาพของการปราบปรามแหล่ง EMI ที่กล่าวถึงข้างต้น


การควบคุมการเหนี่ยวนำการรั่วไหลของหม้อแปลงความถี่สูง
การเหนี่ยวนำการรั่วไหลของหม้อแปลงความถี่สูงเป็นหนึ่งในสาเหตุสำคัญที่ทำให้แรงดันไฟฟ้าสูงสุดของสวิตช์ไฟปิด ดังนั้นการควบคุมการเหนี่ยวนำการรั่วไหลจึงกลายเป็นปัญหาหลักในการแก้ไข EMI ที่เกิดจากหม้อแปลงความถี่สูง

 

USB laboratory power supply -

ส่งคำถาม