การพัฒนาและการจำแนกประเภทสวิตชิ่งเพาเวอร์ซัพพลาย

Apr 02, 2023

ฝากข้อความ

การพัฒนาแหล่งจ่ายไฟสลับแบบควบคุม มีขั้นตอนการพัฒนาที่สำคัญสามขั้นตอนของแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์ควบคุม: ขั้นแรกคือการพัฒนาอุปกรณ์กึ่งตัวนำกำลังจากอุปกรณ์สองขั้ว (BPT, SCR, GT0) ไปจนถึงอุปกรณ์ MOS (แหล่งจ่ายไฟ MOS- FET, IGBT , IGCT เป็นต้น) ทำให้ระบบอิเล็กทรอนิกส์กำลังสามารถบรรลุความถี่สูง และลดการสูญเสียการนำไฟฟ้าได้อย่างมาก และวงจรก็ง่ายขึ้น ขั้นตอนที่สองเริ่มขึ้นในทศวรรษที่ 1980 การวิจัยและพัฒนาเทคโนโลยีความถี่สูงและซอฟต์สวิตชิ่งทำให้ประสิทธิภาพของตัวแปลงไฟฟ้ามีเสถียรภาพมากขึ้น

การพัฒนาแหล่งจ่ายไฟสลับ

สามขั้นตอนการพัฒนาที่สำคัญของแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์ควบคุม:

ขั้นตอนแรกคือการพัฒนาอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ไฟฟ้าจากอุปกรณ์สองขั้ว (BpT, SCR, GT0) ไปจนถึงอุปกรณ์ MOS (แหล่งจ่ายไฟ MOS-FET, IGBT, IGCT ฯลฯ) ทำให้ระบบอิเล็กทรอนิกส์กำลังสามารถ บรรลุความถี่สูงและขนาดใหญ่ การสูญเสียการนำไฟฟ้าลดลงอย่างมาก และวงจรก็ง่ายขึ้น

ขั้นตอนที่สองเริ่มขึ้นในทศวรรษที่ 1980 ซึ่งเป็นการวิจัยและพัฒนาเทคโนโลยีความถี่สูงและซอฟต์สวิตชิ่ง ส่งผลให้ประสิทธิภาพการใช้พลังงานดีขึ้น น้ำหนักเบาขึ้น และมีขนาดเล็กลง เทคโนโลยีความถี่สูงและซอฟต์สวิตชิ่งเป็นหนึ่งในฮอตสปอตการวิจัยในสาขาอิเล็กทรอนิกส์กำลังระหว่างประเทศในช่วง 20 ปีที่ผ่านมา

ขั้นตอนที่สามเริ่มขึ้นในกลาง-1990เมื่อระบบอิเล็กทรอนิกส์กำลังแบบรวมและเทคโนโลยีโมดูลอิเล็กทรอนิกส์กำลังแบบรวม (IpEM) เริ่มพัฒนา ซึ่งเป็นหนึ่งในปัญหาใหม่ที่ต้องแก้ไขอย่างเร่งด่วนในด้านอิเล็กทรอนิกส์กำลังระหว่างประเทศ .

การจำแนกประเภทของแหล่งจ่ายไฟสลับ

1. ตามโหมดการขับขี่ของท่อปรับสวิตช์: ตื่นเต้นในตัวเองและตื่นเต้นอื่นๆ การแนะนำสัญญาณซิงโครนัสบนพื้นฐานที่ตื่นเต้นในตัวเองสามารถประกอบเป็นวงจรควบคุมการสลับซิงโครนัสได้

2. ตามวิธีการควบคุมเสถียรภาพของแรงดันไฟฟ้า มันสามารถแบ่งออกเป็น: ประเภทการมอดูเลตความกว้างพัลส์และประเภทการมอดูเลตความถี่พัลส์ หรือการรวมกันของทั้งสองเพื่อสร้างประเภทการมอดูเลตแบบผสม

3. ตามรูปแบบโครงสร้างของวงจรสวิตช์ไฟ: ชนิดสเต็ปดาวน์, ชนิดสเต็ปอัพ, ชนิดย้อนกลับและชนิดหม้อแปลง

ข้อดีและข้อเสียของแหล่งจ่ายไฟสลับ

ข้อดี: ใช้พลังงานต่ำและมีประสิทธิภาพสูง

ข้อเสีย: มีการรบกวนการสลับที่รุนแรงมากขึ้น

จุดเด่นของเทคโนโลยีสวิตชิ่งเพาเวอร์ซัพพลาย

1. ประสิทธิภาพของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำไฟฟ้า

2. ความหนาแน่นของพลังงาน

3. ส่วนประกอบแม่เหล็กความถี่สูง

4. เทคโนโลยีการสลับที่นุ่มนวล

5. เทคโนโลยีการแก้ไขแบบซิงโครนัส

6. ตัวแปลงค่าการแก้ไขตัวประกอบกำลัง (pFC)

7. การควบคุมแบบดิจิตอลเต็มรูปแบบ