ความรู้เบื้องต้นเกี่ยวกับแหล่งสัญญาณรบกวนของเทคโนโลยีการสลับแหล่งจ่ายไฟ EMI

ความรู้เบื้องต้นเกี่ยวกับแหล่งสัญญาณรบกวนของเทคโนโลยีการสลับแหล่งจ่ายไฟ EMI

(1) หลอดสวิตช์ไฟ
สวิตช์ไฟทำงานในสถานะปิดการปั่นจักรยานอย่างรวดเร็วโดยมีทั้ง DV/DT และ DI/DT เปลี่ยนแปลงอย่างรวดเร็ว ดังนั้นสวิตช์ไฟไม่เพียง แต่เป็นแหล่งสัญญาณรบกวนหลักของการมีเพศสัมพันธ์สนามไฟฟ้า แต่ยังเป็นแหล่งสัญญาณรบกวนหลักของการมีเพศสัมพันธ์สนามแม่เหล็ก

(2) แหล่งกำเนิด EMI ของหม้อแปลงไฟฟ้าความถี่สูงส่วนใหญ่จะสะท้อนให้เห็นในการเปลี่ยนแปลงวัฏจักรอย่างรวดเร็วของ DI/DT ที่สอดคล้องกับการเหนี่ยวนำการรั่วไหลทำให้หม้อแปลงไฟฟ้าความถี่สูงเป็นแหล่งสัญญาณรบกวนที่สำคัญสำหรับการมีเพศสัมพันธ์สนามแม่เหล็ก

(3) Diode rectifier
แหล่งกำเนิด EMI ของไดโอดวงจรเรียงกระแสส่วนใหญ่สะท้อนให้เห็นในลักษณะการกู้คืนย้อนกลับ จุดต่อเนื่องของกระแสการกู้คืนย้อนกลับจะสร้าง DV/DT สูงในการเหนี่ยวนำ (การเหนี่ยวนำตะกั่ว, การเหนี่ยวนำการหลงทาง ฯลฯ ) ส่งผลให้เกิดสัญญาณรบกวนทางแม่เหล็กไฟฟ้าที่แข็งแกร่ง

(4) PCB
แม่นยำยิ่งขึ้น PCB เป็นช่องทางเชื่อมต่อของแหล่งสัญญาณรบกวนดังกล่าวข้างต้นและคุณภาพของ PCB โดยตรงสอดคล้องกับประสิทธิภาพของการระงับแหล่ง EMI ดังกล่าวข้างต้น

การควบคุมการเหนี่ยวนำการรั่วไหลในหม้อแปลงไฟฟ้าความถี่สูง
การเหนี่ยวนำการรั่วไหลของหม้อแปลงไฟฟ้าความถี่สูงเป็นหนึ่งในเหตุผลสำคัญสำหรับการสร้างแรงดันไฟฟ้าสูงสุดเมื่อปิดสวิตช์ไฟ ดังนั้นการควบคุมการเหนี่ยวนำการรั่วไหลจึงกลายเป็นปัญหาหลักในการแก้ปัญหา EMI ที่เกิดจากหม้อแปลงไฟฟ้าความถี่สูง

จุดเริ่มต้นสองจุดสำหรับการลดการเหนี่ยวนำการรั่วไหลของหม้อแปลงไฟฟ้าความถี่สูง: การออกแบบไฟฟ้าและการออกแบบกระบวนการ!
(1) เลือกแกนแม่เหล็กที่เหมาะสมเพื่อลดการเหนี่ยวนำการรั่วไหล การเหนี่ยวนำการรั่วไหลเป็นสัดส่วนกับสี่เหลี่ยมจัตุรัสของขอบเดิมและการลดการหมุนจะช่วยลดการเหนี่ยวนำการรั่วไหลอย่างมีนัยสำคัญ

(2) ลดชั้นฉนวนระหว่างขดลวด ขณะนี้มีเลเยอร์ฉนวนที่เรียกว่า "ฟิล์มทองคำ" ที่มีความหนาของ 20-100 อืมและแรงดันไฟฟ้าของพัลส์สลายหลายพันโวลต์

(3) เพิ่มระดับการมีเพศสัมพันธ์ระหว่างขดลวดและลดการเหนี่ยวนำการรั่วไหล