วิธีการใช้มัลติมิเตอร์ในการตรวจจับโมดูลกำลังอินเวอร์เตอร์
เมื่อโมดูลพลังงานได้รับการทดสอบ (ตัดการเชื่อมต่อจากโครงข่ายไฟฟ้า) ตัวรวบรวมและตัวปล่อยของไดโอดหกตัวของบริดจ์วงจรเรียงกระแสและหลอด IGBT หกหลอดของบริดจ์เอาท์พุตสามารถวัดไปข้างหน้าและข้างหลังได้โดยใช้มัลติมิเตอร์ตัวชี้ R × l เพื่อตรวจสอบ ไม่ว่าพวกเขาจะพังทลายลงแล้วก็ตาม ตารางที่ 1 และตารางที่ 2 เป็นผลการวัดปกติ มิฉะนั้นจะมีองค์ประกอบการแยกย่อยภายใน วัดความต้านทาน (เทอร์มินัลอินพุตสัญญาณไดรฟ์) ระหว่างเกตและตัวปล่อยของทรานซิสเตอร์ IGBT หกตัวโดยใช้มัลติมิเตอร์ตัวชี้ Bx1k หากมีความแตกต่างแสดงว่าวงจรไดรฟ์หรือทรานซิสเตอร์ IGBT เสียหาย การวัดข้างต้นสามารถวัดความเสียหายจากการแตกหักของหลอด IGBT เท่านั้น ไม่พบความเสียหายของวงจรเปิด หลังจากถอดโมดูลจ่ายไฟออกจากแผงวงจรแล้ว สามารถวัดหลอด IGBT แต่ละหลอดเพิ่มเติมได้โดยใช้วิธีการที่แสดงในรูปที่ 1 โดยที่เข็มทางด้านซ้ายแสดงว่าไม่มีการนำไฟฟ้า เข็มทางด้านขวาแสดงถึงการนำไฟฟ้า หากไม่สามารถเปิดปิดได้แสดงว่าท่อเสียหาย
โครงสร้างของโมดูลพลังงานตัวแปลงความถี่:
บรรจุภัณฑ์ภายในของโมดูลพลังงานตัวแปลงความถี่ประกอบด้วยวงจรเรียงกระแสบริดจ์เฟสเดียวหรือสามเฟสที่ประกอบด้วยไดโอด และวงจรเอาท์พุตบริดจ์สามเฟสอีกวงจรหนึ่งประกอบด้วยทรานซิสเตอร์ IGBT หกตัว (ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เกตแบบหุ้มฉนวน) และไดโอดหน่วงไฟหกตัวที่ใช้ ร่วมกัน
P1 คือขั้วบวกของ+300เอาต์พุตตัวเรียงกระแส V และ N1 คือขั้วลบของเอาต์พุตตัวเรียงกระแส พินทั้งสองนี้เชื่อมต่อภายนอกกับตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลติคแบบกรอง และเชื่อมต่อกับ P2 และ N2 ผ่านคอยล์เหนี่ยวนำร่วม P1 และ N1 ตามลำดับ เพื่อจ่ายพลังงานให้กับบริดจ์เอาท์พุตที่ประกอบด้วยหลอด IGBT หกหลอด
ตัวสะสมของทรานซิสเตอร์ IGBT ทั้งสามตัวในบริดจ์ครึ่งบนของบริดจ์เอาท์พุตสามเฟสเชื่อมต่อกับขั้วบวกของแหล่งจ่ายไฟ และตัวปล่อยคือเทอร์มินัลเอาท์พุตสามเฟส U, V และ W ตัวส่งและเกตของทรานซิสเตอร์ทั้งสามตัวจะสร้างเทอร์มินัลอินพุต GU-U, GV-V และ GW-W สำหรับสัญญาณขับเคลื่อนของบริดจ์ครึ่งบน ตัวสะสมของทรานซิสเตอร์ IGBT ทั้งสามตัวในบริดจ์ครึ่งล่างของเอาท์พุตบริดจ์สามเฟสเชื่อมต่อกับ U, V และ W และตัวส่งสัญญาณเชื่อมต่อกับขั้วลบของแหล่งจ่ายไฟ ประตูของทรานซิสเตอร์ทั้งสามตัวและขั้วลบของแหล่งจ่ายไฟจะสร้างเทอร์มินัลอินพุต GX, GY และ GZ สำหรับสัญญาณขับเคลื่อนของบริดจ์ครึ่งล่าง B คือขั้วควบคุมการเบรก
ไม่มีวงจรเบรกภายในโมดูลนี้ TH เป็นขั้วต่อเอาต์พุตที่ป้องกันโดยเทอร์มิสเตอร์ภายใน แม้ว่าหมุดและเครื่องหมายบนแผงวงจรของโมดูลกำลังตัวแปลงความถี่สากลรุ่นอื่นๆ จะแตกต่างกัน แต่ก็สามารถระบุตำแหน่งพินการทำงานหลักได้ไม่ยาก ผลิตภัณฑ์ระดับไฮเอนด์ใช้โมดูลพลังงานอัจฉริยะ ซึ่งรวมถึงวงจรการขับขี่และวงจรเบรกภายใน พร้อมด้วยพินที่มากขึ้นตามลำดับ
ตามที่ชื่อแนะนำ โมดูลกำลังของตัวแปลงความถี่หมายถึงการผสมผสานระหว่างส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์กำลังและไฟฟ้าในตัวแปลงความถี่ตามฟังก์ชันบางอย่าง จากนั้นจึงห่อหุ้มไว้ในโมดูล ตัวแปลงความถี่นั้นประกอบด้วยชุดควบคุมและโมดูลกำลัง โดยทั่วไป โมดูลกำลังของตัวแปลงความถี่ถูกสร้างขึ้นโดยการรวมเปลือกด้านนอกและขั้วอิเล็กโทรดภายนอกเข้าด้วยกัน เพื่อลดจำนวนส่วนประกอบและความเหนี่ยวนำการเดินสายไฟภายใน
