การประยุกต์ใช้กล้องจุลทรรศน์ใน LED ซึ่งเป็นอุตสาหกรรมเกิดใหม่เชิงกลยุทธ์
LED (Light Emitting Diode ย่อว่า LED) เป็นตัวย่อของ Light Emitting Diode ตั้งแต่ช่วงครึ่งหลังของปี 2552 ตลาด LED ได้ก้าวกระโดดครั้งใหญ่ เนื่องจากเป็นอุตสาหกรรมเกิดใหม่ที่มีการเติบโตสูง คาดว่าภายในปี 2558 ขนาดของอุตสาหกรรม LED จะเกิน 500 พันล้านหยวน ซึ่งรวมถึง 160 พันล้านหยวนสำหรับอุตสาหกรรมแสงสว่างทั่วไป 120 พันล้านหยวนสำหรับอุตสาหกรรมแบ็คไลท์ทีวี LCD ขนาดใหญ่- 20 พันล้านหยวนสำหรับอุตสาหกรรมแสงสว่างในยานยนต์ 160 พันล้านหยวนสำหรับอุตสาหกรรมแสงสว่างทั่วไป และ 100 พันล้านหยวนสำหรับอุตสาหกรรมภูมิทัศน์ การแสดงผล และอุตสาหกรรมอื่น ๆ
ห่วงโซ่อุตสาหกรรม LED สามารถแบ่งคร่าวๆ ออกเป็นสามส่วน ได้แก่ การเติบโตของสารตั้งต้นต้นน้ำ การผลิตแผ่นเวเฟอร์ epitaxis บรรจุภัณฑ์ชิปกลางน้ำ และผลิตภัณฑ์การใช้งานขั้นปลายน้ำ ในห่วงโซ่อุตสาหกรรมทั้งหมด ส่วนหลักคือการเติบโตของสารตั้งต้นและการผลิตแผ่นเวเฟอร์แบบเอปิเทกเชียล ซึ่งมีเนื้อหาทางเทคโนโลยีที่ค่อนข้างสูงและคิดเป็นเกือบ 70% ของมูลค่าผลผลิตและผลกำไรของอุตสาหกรรม
แนวโน้มการพัฒนาอุตสาหกรรม LED ในปัจจุบันได้รับอิทธิพลจากตลาดทั้งในประเทศและต่างประเทศ ด้วยแรงผลักดันจากโครงการ National Semiconductor Lighting Project อุตสาหกรรม LED ของจีนได้ก่อตัวเป็นห่วงโซ่อุตสาหกรรมที่ค่อนข้างสมบูรณ์ ซึ่งรวมถึงวัสดุซับสเตรตที่อยู่ต้นน้ำของ LED, การผลิตเวเฟอร์ LED epitaxial, การเตรียมชิป LED, บรรจุภัณฑ์ของชิป LED และการประยุกต์ใช้ผลิตภัณฑ์ LED
ดังที่ทราบกันดีว่าไดโอดเปล่งแสงของเซมิคอนดักเตอร์-มีข้อดี เช่น ประสิทธิภาพการแปลงสูงและอายุการใช้งานที่ยาวนาน และถือเป็นแหล่งกำเนิดแสงรุ่นต่อไปที่จะเข้ามาแทนที่แหล่งกำเนิดแสงแบบเดิมที่ใช้อยู่ในปัจจุบัน อย่างไรก็ตาม จากประสิทธิภาพในปัจจุบันของ-ไดโอดเปล่งแสง ยังคงมีปัญหาทางเทคนิคมากมายที่ต้องเอาชนะเพื่อให้บรรลุเป้าหมายนี้ และความพยายามในการวิจัยจำเป็นต้องเพิ่มขึ้นในการวิเคราะห์และการกำหนดลักษณะเฉพาะของวัสดุ เทคโนโลยีการวิเคราะห์อุปกรณ์ และด้านอื่นๆ กล้องจุลทรรศน์แบบใช้แสง กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด สเปกโตรมิเตอร์พลังงานรังสีเอกซ์- เครื่องสเปกโตรมิเตอร์มวลไอออนทุติยภูมิ และอุปกรณ์อื่นๆ ได้กลายเป็นเครื่องมือวิเคราะห์ที่จำเป็นสำหรับความล้มเหลวของอุปกรณ์และการวิเคราะห์โครงสร้าง เช่นเดียวกับการตรวจสอบ ปรับปรุง และเพิ่มประสิทธิภาพกระบวนการเอพิเทแอกเซียลในโครงสร้างบรรจุภัณฑ์ของอุปกรณ์ไดโอดเปล่งแสง- ตลอดจนโครงสร้าง องค์ประกอบ และสภาพส่วนต่อประสานของชิป
